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Dry Etching Technology Evolution on Equipment and Process

Dry Etching Technology Evolution on Equipment and Process

Dry Etching Technology Evolution on Equipment and Process

 

Dry etching 기술은 반도체 제조 단계에서 미세 패턴을 형성하는 최고 핵심 공정으로서 타 공정과는 달리 궁극적으로 3D 구조를 만드는 공정이다. 초기에 single RF power의 CCP(Capacitively Coupled Plasma)에서 시작하여 현재는 ICP(Inductively Coupled Plasma), uWave plasma 등으로 계속 발전해 왔고, 향후는 극저온 etching이나 Ion beam 식각 등으로 발전해 나갈 것이다. 이러한 etching 기술의 발전은 Radical, Ion 의 제어력을 극대화시키는 방향으로 진행되었고, 미래의 etching 장비도 그러한 맥락에서 이해할 수 있다. 중성 gas에 Energy를 인가하여 plasma를 형성하고 그로부터 반응성 Radical과 high energy Ion을 추출하여 WF 상의 미세 패턴을 식각하는 과정에 대해서 자세히 이해할 필요가 있다. 본 과정을 통해서 반도체 관련 Eng’r들이 dry etching 기술에 대한 근원적인 맥락을 이해하여 향후 한국 반도체 산업의 다각도로 기여할 수 있기를 기대한다.

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