Seiyon Kim

SK 하이닉스 미래기술원에서 Fellow로 2018년부터 재직중이며 미래의 DRAM/NAND를 위한 혁신적 미래 기술 연구와 패스 파인딩을 책임지는 Revolutionary Memory 조직을 담당하고 있습니다. 이전에는 하이닉스 최초의 HKMG 적용 DRAM을 위한 HKMG Peripheral transistor 기술 개발을 리드하였으며 현재는 미래의 DRAM/NAND를 위한 기술 개발 외에도 강유전체, 적층 가능 채널 디바이스와 로직-메모리 결합 기술 등 다양한 미래 기술 연구를 진행하고 있습니다.

SK 하이닉스에 조인하기 전에는 인텔에서 13년 동안 재직하면서 인텔 최초로 Gate-all-around Nano-ribbon FET 을 연구 개발하였으며 HfOx based ferroelectric 메모리 및 로직 소자 연구와 Silicon-on-Nothing 기술을 이용한 1T-floating body DRAM 연구도 진행하였습니다.

서울대학교 물리학과에서 학사와 석사를 취득한 후 미국 일리노이 주립대학 어바나-샴페인에서 III-V 족 반도체 High Electron Mobility Transistor (HEMT) 연구로 Electrical Engineering 박사 학위를 취득하였습니다.